氮化物半导体技术——功率电子和光电子器件【新华集团自营】 2025 chm pdf kindle rb azw3 下载 115盘

本书概述了氮化物半导体及其在功率电子和光电子器件中的应用，解释了这些材料的物理特性及其生长方法，详细讨论了它们在高电子迁移率晶体管、垂直型功率器件、发光二极管、激光二极管和垂直腔面发射激光器中的应用。本书进一步研究了这些材料的可靠性问题，并提出了将它们与2D材料结合用于新型高频和高功率器件的前景。本书具有较好的指导性和借鉴性，可作为功率电子和光电子器件领域研究人员和工程人员的参考用书。

目录序原书前言原书致谢第1章氮化镓材料的性能及应用11历史背景12氮化物的基本性质121微观结构及相关问题122光学性质123电学性质124AlGaNGaN异质结构中的二维电子气（2DEG）13GaN基材料的应用131光电子器件132功率电子器件和高频电子器件14总结致谢参考文献第2章GaN基材料：衬底、金属有机物气相外延和量子阱21引言22块体GaN生长221氢化物气相外延（HVPE）222钠助溶剂生长法223氨热生长23金属有机物气相外延生长231氮化物MOVPE基础知识232异质衬底上外延233通过ELOG、FACELO等方法减少缺陷234原位ELOG沉积SiN235氮化物掺杂236其他二元和三元氮化物生长24InGaN量子阱的生长及分解241InGaN量子阱在极化、非极化以及半极化GaN衬底上的生长242铟含量分布波动的原因243InGaN量子阱的均质化244量子阱的分解25总结致谢参考文献第3章毫米波用GaN基HEMT31引言32GaN毫米波器件的主要应用321高功率应用322宽带放大器3235G33用于毫米波的GaN材料应用设计331与其他射频器件的材料性能对比332射频器件中的特殊材料34毫米波GaN器件的设计与制造341各种GaN器件关键工艺步骤342 的毫米波GaN晶体管35MMIC功率放大器概述351基于ⅢN器件的MMIC技术352从Ka波段到D波段频率的MMIC示例36总结参考文献第4章常关型GaN HEMT技术41引言411AlGaNGaN HEMT阈值电压42GaN HEMT“共源共栅”结构43“真正的”常关型HEMT技术431凹栅HEMT432氟技术HEMT433凹栅混合MIS HEMT434p型GaN栅HEMT44其他方法45总结致谢参考文献第5章垂直型GaN功率器件51引言52用于功率转换的垂直型GaN器件53垂直型GaN晶体管531电流孔径垂直电子晶体管（CAVET）532垂直型GaN MOSFET54GaN高压二极管55GaN pn二极管雪崩电致发光56GaN的碰撞电离系数57总结致谢参考文献第6章GaN电子器件可靠性61引言611GaN HEMT的可靠性测试和失效分析62射频应用中GaN HEMT的可靠性621AlGaNGaN HEMT622InAlNGaN HEMT623射频GaN HEMT中的热问题63GaN功率开关器件的可靠性和鲁棒性631掺碳GaN缓冲层中的寄生效应632p型GaN开关HEMT中的栅极退化633GaN MIS HEMT中阈值电压不稳定性64总结致谢参考文献第7章发光二极管71引言72 进的GaN发光二极管721蓝光二极管722绿光二极管73GaN白光LED：制备方法和特性731单片发光二极管732磷光体覆盖的发光二极管74AlGaN深紫外LED741生长高质量AlN和提高内量子效率（IQE）742基于AlGaN的UVC LED743提高光提取效率（LEE）75总结致谢参考文献第8章分子束外延生长激光二极管81引言82等离子体辅助分子束外延（PAMBE）ⅢN族材料的生长原理821N通量在高效InGaN量子阱材料中的作用83宽InGaN量子阱—— 量子约束的斯塔克效应84AmmonoGaN衬底制备的长寿命激光二极管85隧道结激光二极管851垂直互连的激光二极管堆852分布式反馈激光二极管86总结致谢参考文献第9章边缘发射激光二极管和超辐射发光二极管91激光二极管的历史与发展911光电子学背景912GaN技术突破913氮化物激光二极管的发展92分布式反馈激光二极管93超辐射发光二极管931超辐射发光二极管的发展历史932基本SLD特性933SLD优化面临的挑战94半导体光放大器95总结参考文献 0章绿光和蓝光垂直腔面发射激光器101引言1011GaN VCSEL的特性和应用1012GaN VCSEL的简史和现状1013不同DBR结构GaN VCSEL102不同器件结构的散热效率1021器件热分布模拟1022热阻Rth对谐振腔长度的依赖性103基于InGaN量子点的绿光VCSEL1031量子点相对于量子阱的优势1032InGaN量子点的生长及其光学特性1033VCSEL的制备过程1034绿光量子点VCSEL特性104基于蓝光InGaN量子阱局域态和腔增强发光效应的绿光VCSEL1041谐振腔效应1042谐振腔增强的绿光VCSEL的特性105基于量子阱内嵌量子点有源区结构的双波长激射1051量子阱内嵌量子点（QDinQW）结构特性1052VCSEL激射特性106具有不同横向光限制的蓝光VCSEL106 射率限制结构的设计1062LOC结构VCSEL的发光特性107总结参考文献 1章新型电子和光电应用的2D材料与氮化物集成111引言112用氮化物半导体制造2D材料异质结构1121转移在其他衬底上生长的2D材料11222D材料在Ⅲ族氮化物上的直接生长1123氮化物半导体薄膜的2D材料生长113基于2D材料GaN异质结的电子器件1131基于MoS2GaN异质结的带间隧道二极管1132具有Gr基和Al（Ga）NGaN发射极的热电子晶体管114基于2D材料与GaN结的光电器件1141具有Gr透明导电电极的GaN LED1142MoS2GaN深紫外光电探测器115Gr在GaN HEMT热管理中的应用116总结致谢参考文献

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