半导体物理性能手册(2-上) 哈尔滨工业大学出版社 2025 chm pdf kindle rb azw3 下载 115盘

足立贞夫编著的《半导体物理性能手册(第2卷上)》介绍了各族半导体、化合物半导体的物理性能，包括：结构特性、热学性质、弹性性质、声子与晶格振动性质、集体效应及相关性质、能带结构：能带隙、能带结构：电子和空穴的有效质量、电子形变势、电子亲和能与肖特基势垒高度、光学性质、弹光、电光和非线性光学性质、载流子输运性质。

PrefaceAcknowledgments

Contents of Other Volumes

1 Cubic Boron Nitride (c-BN)

1.1 Structural Properties

1.1.1 Ioniciyt

1.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight

1.1.3 Crystal Structure and Space Group

……

2 Hexagonal Boron Nitride (h-BN)

3 Boron Phosphide (BP)

4 Boron Arsenide (BAs)

5 Wurtzite Aluminum Nitride (w-AIN)

6 Cubic Aluminum Nitride (c-AIN)

8 Aluminum Arsenide (AIAs)

9 Aluminum Antimonide (AISb)

暂无相关内容，正在全力查找中

暂无出版社相关信息，正在全力查找中！

暂无相关书籍摘录，正在全力查找中！

在线阅读地址：半导体物理性能手册(2-上) 哈尔滨工业大学出版社在线阅读

在线听书地址：半导体物理性能手册(2-上) 哈尔滨工业大学出版社在线收听

在线购买地址：半导体物理性能手册(2-上) 哈尔滨工业大学出版社在线购买

暂无原文赏析，正在全力查找中！

暂无其它内容！